Про це повідомляє Yonhap. Компанія заявила, що мікросхема має найвищу ємність у галузі - 36 ГБ. За словами Samsung, чип HBM3E 12H є на 50% кращим у продуктивності та ємності, аніж його попередник HBM3 8H. Зокрема, він здатен обробляти дані зі швидкістю до 1280 ГБ за секунду, що рівнозначно можливості завантажувати більше 40 UHD-фільмів із ємністю в 30 ГБ за секунду. Зазначено, що чипи-HBM набувають популярності через важливу роль у живленні генеративних систем штучного інтелекту, зокрема ChatGPT від компанії OpenAI. У Samsung Electronics також повідомили, що масово виробляти чипи нового покоління планують у першій половині 2024 року. Однак компанія вже розпочала доставляти зразки HBM3E 12H своїм клієнтам. 17 лютого повідомлялося, що адміністрація Байдена веде переговори з корпорацією Intel щодо надання їй субсидій на суму понад $10 млрд для розгортання виробництва чипів у США.

Читати повністю